[发明专利]掩膜版组件、集成电路板的制备方法和集成电路板有效
| 申请号： | 201510163074.1 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106158758B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 康冬亮;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掩膜版组件、集成电路板的制备方法和集成电路板，其中，掩膜版组件包括：第一掩膜版，设置有第一透光图案和第一不透光图案，所述第一掩膜版用于所述集成电路板的制备过程中的第一次光刻工艺处理，其中，所述第一透光图案包括待制备的所述第一电阻率结构层上方的图形化掩膜层的图形；第二掩膜版，设置有第二透光图案和第二不透光图案，所述第二掩膜版用于所述集成电路板的制备过程中的第二次光刻工艺处理，其中，所述第二透光图案包括待制备的所述第二电阻率栅极的图形。通过本发明的技术方案，可以采用至少两种加工方法以制备上述的集成电路板，降低了光刻工艺的加工成本，便于批量生产集成电路板的过程中进行工艺优化。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 组件 集成 电路板 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版组件，适用于制备包括第一电阻率结构层和第二电阻率栅极的集成电路板，其特征在于，所述掩膜版组件包括：第一掩膜版，设置有第一透光图案和第一不透光图案，所述第一掩膜版用于所述集成电路板的制备过程中的第一次光刻工艺处理，其中，所述第一透光图案包括待制备的所述第一电阻率结构层上方的图形化掩膜层的图形；第二掩膜版，设置有第二透光图案和第二不透光图案，所述第二掩膜版用于所述集成电路板的制备过程中的第二次光刻工艺处理，其中，所述第二透光图案包括待制备的所述第二电阻率栅极的图形；所述第一掩膜版用于预留第二次离子注入的窗口，所述第二掩膜版用于图形化两种不同电阻率的结构层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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