[发明专利]具有包括收缩部的半导体台面的半导体器件有效
| 申请号： | 201510163238.0 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104979386B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | J·G·拉文;R·巴布斯克;M·戴内塞;P·勒驰纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括在半导体台面中的体区，其被形成在邻近的控制结构之间，该控制结构从第一表面延伸至半导体主体之中。漂移区与该体区形成第一pn结。在该半导体台面中，该漂移区包括第一漂移区部分，该第一漂移区部分包括该半导体台面的收缩部分。该收缩部分平行于该第一表面的最小水平宽度小于该体区的最大水平宽度。在该漂移区和第二表面之间的发射极层包括至少一个该漂移区的导电类型的第一区，第二平面与第一表面平行。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 收缩 半导体 台面 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：体区，其在半导体台面中，所述半导体台面被形成在邻近的控制结构之间，所述控制结构从第一表面延伸至半导体主体之中；漂移区，其与所述体区形成第一pn结，并且在所述半导体台面中包括第一漂移区部分，所述第一漂移区部分包括所述半导体台面的收缩部分，其中所述收缩部分的平行于所述第一表面的最小水平宽度小于所述体区的最大水平宽度；以及发射极层，其位于所述漂移区和平行于所述第一表面的第二表面之间，所述发射极层包括至少一个所述漂移区的导电类型的第一区，其中所述控制结构中的至少一个控制结构被配置为在增强二极管模式中在所述漂移区中沿着有关的控制结构感生反型层，并且在去饱和模式中在所述漂移区中不感生反型层。
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