[发明专利]MOSFET器件的制作方法及MOSFET器件在审
| 申请号： | 201510163393.2 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106158642A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张莲莲;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET器件的制作方法及MOSFET器件，包括：在基底表层的N型层中形成深槽；在深槽中形成第一P型多晶硅层；在第一P型多晶硅层上形成中间过渡层；在中间过渡层上形成第二P型多晶硅层，第二P型多晶硅层位于深槽的顶部。根据本发明的MOSFET器件的制作方法及MOSFET器件通过分层沉积形成N型层中的柱体，既无需采用外延设备，又避免了在深槽中一次性形成柱体再进行离子注入操作时造成的离子扩散沿注入方向杂质浓度不均匀的情况。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底表层的N型层中形成深槽；在所述深槽中形成第一P型多晶硅层；在所述第一P型多晶硅层上形成中间过渡层；在所述中间过渡层上形成第二P型多晶硅层，所述第二P型多晶硅层位于所述深槽的顶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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