[发明专利]存储器装置有效
申请号: | 201510163608.0 | 申请日: | 2015-04-09 |
公开(公告)号: | CN106158035B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 陈士弘 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种存储器装置,具有多个导电层的多层堆栈结构,其中每一个导电层被分割成彼此分离的字线,且每一条字线定义一区块的存储单元。垂直走向的多个柱状体,每一个柱状体包括多个串联连接的存储单元,位于柱状体与导电层的交叉点上。多条串选择线位于导电层之上,在这些柱状体与串选择线的每一交叉点分别定义出一柱状体的选择栅极。多条位线位于这些串选择线之上。多条接地选择线位于导电层之下,在柱状体与接地选择线的每一交叉点分别定义出一柱状体接地选择栅极。接地选择线被横向分割以使每一区块中接地选择线的数量大于1,但少于此区块中串选择线的数量。 | ||
搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
【主权项】:
1.一种存储器装置,位于一基板上,包括:一多层堆栈,具有多个导电层,每一个导电层被分割成相邻的多条字线;多个柱状体,正交于该多个导电层,每一个柱状体包括以串联方式连接的多个存储单元,该多个存储单元位于该多个柱状体与该多条字线的多个交叉点上;相邻的多条串行选择线,位于该多个导电层之上,每一条串行选择线与该多个柱状体中各自不同的一第一柱状体子集相交,并在该多个柱状体与该多条串行选择线的每一交叉点上分别定义出该柱状体的一串行选择栅极;平行的多条位线,位于该多条串行选择线之上,每一条位线叠置于各自不同的一第二柱状体子集上,且每一个柱状体位于该多条位线之一的下方;以及相邻的多条接地选择线,位于该多个导电层之下,每一条接地选择线与该多个柱状体中各自不同的一第三柱状体子集相交,并在该多个柱状体与该多条接地选择线的每一交叉点上分别定义出该柱状体的一接地选择栅极;其中在垂直该多条串行选择线的一空间维度上,相邻的该多条接地选择线的一最小间距PGSL大于相邻的该多条串行选择线的一最小间距PSSL,但小于相邻的该多条字线的一最小间距PWL。
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