[发明专利]一种锗硅分离方法

摘要

本发明涉及含锗硅原料中锗硅分离技术领域，尤其是一种锗硅分离方法，通过含锗硅物料的球磨以及采用氢氧化钠溶液在一定的温度环境下以及对液固比进行限制，使得含锗硅物料中的锗和硅均被浸出，进而破坏二氧化硅晶格对锗的包裹，再通过电解法电解分离锗硅浸出液，进而使得锗硅的分离率达到90％以上。

主权项

1.一种锗硅分离方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将含锗硅物料球磨处理后，采用质量分数为15‑30％的氢氧化钠溶液进行一次浸出处理2‑3h，并将其进行过滤处理，获得一次滤渣和一次滤液；一次滤渣再采用质量分数为15‑30％的氢氧化钠溶液进行二次浸出处理，浸出处理时间为0.5‑3h，再将其进行过滤处理，获得二次滤渣和二次滤液；二次滤渣返回回转窑中处理，再将其返回含锗硅物料中，做进一步的处理；二次滤液返回一次浸出处理中与氢氧化钠溶液混合后，对含锗硅物料进行一次浸出处理；(2)一次滤液处理：将一次滤液作为浸出液，并对该浸出液在常温环境下，采用直流电解处理≥10h，获得电解沉积物和电解后液；电解沉积物进行烘干处理后，获得锗精矿；电解后液用氧化钙粉末进行脱硅处理，获得硅渣和脱硅液；硅渣返回回转窑处理，脱硅液返回二次浸出处理中与氢氧化钠混合后对一次滤渣进行处理，即可完成锗硅分离。