[发明专利]具有RESURF结构的LDMOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201510163925.2 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106158956B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 祁树坤 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、源极、漏极、体区及衬底上的阱区，所述阱区包括：插入式阱，掺杂类型为P型，设于所述漏极的下方并与漏极相接；N阱，设于所述插入式阱的两侧；P阱，设于所述N阱的旁边并与N阱连接；所述源极和体区设于所述P阱内。本发明通过插入式阱形成triple RESURF结构，有助于提高N阱的掺杂浓度，并降低器件的导通电阻，并且有助于改善器件的击穿特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 resurf 结构 ldmosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有RESURF结构的LDMOSFET，包括衬底、源极、漏极、体区及衬底上的阱区，其特征在于，所述阱区包括：/n插入式阱，掺杂类型为P型，设于所述漏极的下方并与漏极相接；/nN阱，设于所述插入式阱的两侧，所述插入式阱插入所述N阱中；/nP阱，设于所述N阱的旁边并与N阱相接；所述源极和体区设于所述P阱内；/n衬底上的第一阱区和第一阱区上的第二阱区；/n所述插入式阱包括第一阱区内的第一插入式阱和第二阱区内的第二插入式阱，所述N阱包括第一阱区内的第一N阱和第二阱区内的第二N阱，所述P阱包括第一阱区内的第一P阱和第二阱区内的第二P阱；所述第一N阱的掺杂浓度低于所述第二N阱的掺杂浓度，所述第一P阱的掺杂浓度低于所述第二P阱的掺杂浓度，所述第一插入式阱的掺杂浓度低于所述第二插入式阱的掺杂浓度。/n
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