[发明专利]动态随机存取存储装置的制造方法

摘要

本发明提供了一种动态随机存取存储装置的制造方法，包括在一基底上形成彼此隔开的两个掩膜层。在具有掩膜层的基底上顺应性形成一材料层，使材料层于掩膜层之间形成一凹陷区。在凹陷区的相对的侧壁上形成两个间隙壁，以在间隙壁之间定义出一第一区且在间隙壁与掩膜层之间定义出两个第二区。以掩膜层及间隙壁作为蚀刻掩膜进行多重蚀刻制造工艺，以在第一区及第二区的基底内对应形成一第一沟槽及两个第二沟槽，其中第一沟槽的深度深于第二沟槽的深度。在第一沟槽内填入一虚设栅极层及在第二沟槽内分别填入一栅极层。本发明可改善相邻存储装置之间字线干扰的现象。

主权项

1.一种动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在一基底上形成彼此隔开的两个掩膜层；在具有所述掩膜层的所述基底上顺应性形成一材料层，使所述材料层于所述掩膜层之间形成一凹陷区，其中在形成所述材料层之前，还包括在所述掩膜层之间的所述基底上形成一蚀刻停止层；在所述凹陷区的相对的侧壁上形成两个间隙壁，以在所述间隙壁之间定义出一第一区且在所述间隙壁与所述掩膜层之间定义出两个第二区；以所述掩膜层及所述间隙壁作为蚀刻掩膜进行多重蚀刻制造工艺，其中所述多重蚀刻制造工艺包括：蚀刻所述材料层至露出位于所述第一区的所述蚀刻停止层；蚀刻位于所述第一区的所述蚀刻停止层至露出所述基底；蚀刻位于所述第一区的所述基底，且同时蚀刻位于所述第二区的所述材料层，以在所述第一区的所述基底内形成一开口，且露出位于所述第二区的所述蚀刻停止层；蚀刻位于所述第二区的所述蚀刻停止层至露出所述基底；蚀刻位于所述开口下方及所述第二区的所述基底，以在所述第一区及所述第二区的所述基底内对应形成一第一沟槽及两个第二沟槽，其中所述第一沟槽的深度深于所述第二沟槽的深度；以及在所述第一沟槽内填入一虚设栅极层及在所述第二沟槽内分别填入一栅极层。