[发明专利]存储器装置与其读取方法有效
| 申请号： | 201510165465.7 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN106157997B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张国彬 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C8/08;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置与其读取方法，存储器装置包括：多个导电叠层结构，包括至少一串选择线、多条字线与至少一接地选择线；多个存储器单元，形成于这些导电叠层结构之内；多条位线，形成于这些导电叠层结构之上；以及至少一奇共同源极线，与至少一偶共同源极线，形成于这些导电叠层结构之上。该奇共同源极线耦接至这些位线的多条奇位线，该偶共同源极线耦接至这些位线的多条偶位线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 与其 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：多个导电叠层结构，包括至少一串选择线、多条字线、至少一奇接地选择线与至少一偶接地选择线；多个存储器单元，形成于这些导电叠层结构之内；多条位线，形成于这些导电叠层结构之上；以及至少一共同源极线，形成于这些导电叠层结构之上；其中，该奇接地选择线耦接至这些位线的多条奇位线，该偶接地选择线耦接至这些位线的多条偶位线，该奇接地选择线绝缘于该偶接地选择线；该串选择线与这些字线的一第一字线群组叠层成这些导电叠层结构的一第一导电叠层结构；该奇、偶接地选择线与这些字线的一第二字线群组叠层成这些导电叠层结构的一第二导电叠层结构；以及这些存储器单元形成这些导电叠层结构的多个侧壁之上。
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