[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板，其包括：在基板(210)上的底栅极(220)和覆盖底栅极(220)的底栅极绝缘层(230)；在底栅极绝缘层(230)上的半导体氧化物层(240)以及覆盖半导体氧化物层(240)且具有第一通孔(252)的刻蚀阻挡层(250)；在刻蚀阻挡层(250)上的通过第一通孔(252)接触半导体氧化物层(240)的漏极(260b)和覆盖漏极(260b)的绝缘保护层(270)；在绝缘保护层(270)、刻蚀阻挡层(250)以及底栅极绝缘层(230)中的第二通孔(272)；在绝缘保护层(270)上的通过第二通孔(272)接触底栅极(220)的顶栅极(280a)。本发明还公开一种该薄膜晶体管阵列基板的制造方法。本发明的薄膜晶体管在光照负偏压的情况下可防止其阈值电压发生漂移。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：在基板(210)上的薄膜晶体管的底栅极(220)；在所述基板(210)上且覆盖所述底栅极(220)的底栅极绝缘层(230)；在所述底栅极绝缘层(230)上的半导体氧化物层(240)；在所述底栅极绝缘层(230)上且覆盖所述半导体氧化物层(240)的刻蚀阻挡层(250)，所述刻蚀阻挡层(250)包括第一通孔(252)，通过所述第一通孔(252)露出所述半导体氧化物层(240)的部分；在所述刻蚀阻挡层(250)上的所述薄膜晶体管的漏极(260b)和源极(260a)，所述漏极(260b)通过所述第一通孔(252)接触所述半导体氧化物层(240)；在所述刻蚀阻挡层(250)上且覆盖所述漏极(260b)和所述源极(260a)的绝缘保护层(270)；在所述绝缘保护层(270)、所述刻蚀阻挡层(250)以及所述底栅极绝缘层(230)中的第二通孔(272)，通过所述第二通孔(272)露出所述底栅极(220)的部分；在所述绝缘保护层(270)上的顶栅极(280a)，所述顶栅极(280a)通过所述第二通孔(272)接触所述底栅极(220)。