[发明专利]基于中间层键合的MEMS光学芯片的封装结构及封装方法有效

专利信息
申请号: 201510166516.8 申请日: 2015-04-09
公开(公告)号: CN104909327B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 吴亚明;翟雷应;沈时强;徐静 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81C1/00;B81C3/00;G02B26/08
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 余明伟
地址: 201800 上海市嘉定*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种基于中间层键合的MEMS光学芯片的封装结构及封装方法,所述封装结构包括第一部件,包括光学透明基体,其上、下表面分别镀制上光学增透膜及图形化的下光学增透膜;第二部件,包括中间层;第三部件,包括MEMS光学芯片,其在MEMS驱动器的作用下实现对光束的操控;其中,所述中间层将光学透明基体与MEMS光学芯片连接在一起,实现第一部件及第三部件的圆片级键合,并为每个MEMS光学芯片形成独立的密封腔体。本发明的封装结构能够独立设计,兼容MEMS光学芯片的工艺要求,能够实现MEMS光学芯片无损封装,有效保证了镜面的光洁度,提升了气密性能。本发明具有工艺简单,易于批量生产、易于集成、控制等优点,在光学芯片的封装中有着广泛的应用前景。
搜索关键词: 基于 中间层 mems 光学 芯片 封装 结构 方法
【主权项】:
一种基于中间层键合的MEMS光学芯片的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:第一部件,包括光学透明基体,所述光学透明基体上表面及下表面分别镀制上光学增透膜及图形化的下光学增透膜;第二部件,包括中间层,所述中间层包括具有图形化通孔及TGV结构的玻璃结构,所述玻璃结构通过阳极键合的方式与所述MEMS光学芯片连接,并通过BCB键合的方式与所述光学透明基体连接,并且,所述TGV结构中的金属与MEMS光学芯片中的电极焊盘连接;第三部件,包括MEMS光学芯片,所述MEMS光学芯片在MEMS驱动器的作用下实现对光束的操控;其中,所述中间层将所述光学透明基体与MEMS光学芯片连接在一起,实现第一部件及第三部件的圆片级键合,并为每个MEMS光学芯片形成独立的密封腔体。
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