[发明专利]结终端延伸结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510166665.4 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN106158938B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结终端延伸结构及其制作方法，包括：第一导电类型的集电区；位于所述集电区上的第二导电类型的漂移区，所述漂移区内具有第一导电类型的主结区、与所述主结区相连通的第一导电类型的延伸区、第二导电类型的截止环，所述延伸区与所述截止环不连通；所述延伸区是至少具有两个沟槽的连续分布区域，且所述沟槽的体积随距离所述主结区距离的增大而增大，用以实现，分压区域面积减小，节省了芯片面积，在相同面积的硅晶片上可以制作的器件就增多，缩减了芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 终端 延伸 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种结终端延伸结构，其特征在于，包括：第一导电类型的集电区；位于所述集电区上的第二导电类型的漂移区，所述漂移区内具有第一导电类型的主结区、与所述主结区相连通的第一导电类型的延伸区、第二导电类型的截止环，所述延伸区与所述截止环不连通；覆盖在所述漂移区上的介质层；所述延伸区是至少具有两个沟槽的连续分布区域，且所述沟槽的体积随距离所述主结区距离的增大而增大，所述延伸区的每个沟槽之间的距离随着距离主结区距离的增大而增大。
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