[发明专利]筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法有效
| 申请号： | 201510166878.7 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104820178B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 谢文华 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法，包括如下步骤设定用于判断场效应管是否开启的漏端电流阈值，当检测到漏端电流大于所述漏端电流阈值时，表示场效应管开启；所述漏端电流阈值为10～200微安；在第一测试时长内，测试得到第一开启电压；在第二测试时长内，测试得到第二开启电压；所述第一测试时长小于第二测试时长；判断所述第一开启电压与第二开启电压的差值是否小于正常误差值，若是，则判定所述场效应管不具有所述双线缺陷，否则判定所述场效应管具有所述双线缺陷。上述测试方法，采用不同的测试时长所得到的开启电压能够反映出场效应管的双线缺陷，因而能够筛选具有双线缺陷的场效应管。 | ||
| 搜索关键词： | 筛选 转移 特性 曲线 具有 双线 缺陷 场效应 方法 | ||
【主权项】：
一种筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法，包括如下步骤：设定用于判断场效应管是否开启的漏端电流阈值，当检测到漏端电流大于所述漏端电流阈值时，表示场效应管开启；所述漏端电流阈值为10～200微安；在第一测试时长内，测试得到第一开启电压；所述第一测试时长为100～800微秒；在第二测试时长内，测试得到第二开启电压；所述第一测试时长小于第二测试时长；所述第二测试时长为2～20毫秒；判断所述第一开启电压与第二开启电压的差值是否小于正常误差值，若是，则判定所述场效应管不具有所述双线缺陷，否则判定所述场效应管具有所述双线缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳深爱半导体股份有限公司，未经深圳深爱半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510166878.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
