[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201510166992.X | 申请日: | 2015-04-09 |
公开(公告)号: | CN104795402A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 姜春生 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/45;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法,以及一种显示装置,上述阵列基板包括:采用铜形成于蚀刻阻挡层上的源漏金属层;采用铜合金形成于源漏金属层上的合金层,铜合金中的非铜金属比铜更易被氧化;形成于合金层上的钝化层;形成于合金层与钝化层之间氧化物层。通过本发明的技术方案,可以采用铜形成源极和漏极,同时使得源极和漏极与钝化层具有较高的结合强度,并且可以避免源极和漏极被氧化,还可以避免源极和漏极中的铜原子扩散。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:采用铜形成于蚀刻阻挡层上的源漏金属层;采用铜合金形成于所述源漏金属层上的合金层,所述铜合金中的非铜金属比铜更易被氧化;形成于所述合金层上的钝化层;形成于所述合金层与所述钝化层之间氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的