[发明专利]多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201510167176.0 申请日: 2015-04-09
公开(公告)号: CN104752565B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 高文秀;李帅;赵百通 申请(专利权)人: 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01J37/32
代理公司: 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙)31290 代理人: 金碎平,袁亚军
地址: 214213 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法,包括反应腔室,所述反应腔室内设有硅片运动载台,其中,所述反应腔室上至少设有两个等离子体下游吹扫式处理单元,所述反应腔室的进口处设有前缓冲腔室和前闸板阀,所述反应腔室的出口处设有后缓冲腔室和后闸板阀,所述反应腔室上靠近后缓冲腔室处设有反应腔真空抽口,所述硅片运动载台的下方设有恒温辐射块。本发明提供的多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法,采用了多级吹扫式硅片处理单元,可方便采用独立的工作气体流量比例及刻蚀时间,实现快捷高效的硅片处理过程;配合硅片运动载台及恒温辐射块提高刻蚀速率,从而实现在线连续处理,并提高硅片制绒效果。
搜索关键词: 多级 吹扫式 硅片 处理 装置 及其 控制 方法
【主权项】:
一种多级吹扫式硅片制绒处理装置,包括反应腔室(1),所述反应腔室(1)内设有硅片运动载台(7),其特征在于,所述反应腔室(1)上至少设有两个等离子体下游吹扫式处理单元(2),所述反应腔室(1)的进口处设有前缓冲腔室(10)和前闸板阀(11),所述反应腔室(1)的出口处设有后缓冲腔室(6)和后闸板阀(5),所述反应腔室(1)上靠近后缓冲腔室(6)处设有反应腔真空抽口(3),所述硅片运动载台(7)的下方设有恒温辐射块(9);所述等离子体下游吹扫式处理单元(2)包括等离子体激发腔(208),所述等离子体激发腔(208)的一侧和微波谐振腔(201)相连通,所述等离子体激发腔(208)的上部和微波谐振腔(201)位于反应腔室(1)外,所述等离子体激发腔(208)的下部设有贯穿伸入反应腔室(1)中的喷管口(207),所述喷管口(207)旁设有抽真空管道(204),所述抽真空管道(204)内形成有气化腔室(206)并设有真空蝶阀(205)。
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