[发明专利]多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法

摘要

本发明公开了一种多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法，包括反应腔室，所述反应腔室内设有硅片运动载台，其中，所述反应腔室上至少设有两个等离子体下游吹扫式处理单元，所述反应腔室的进口处设有前缓冲腔室和前闸板阀，所述反应腔室的出口处设有后缓冲腔室和后闸板阀，所述反应腔室上靠近后缓冲腔室处设有反应腔真空抽口，所述硅片运动载台的下方设有恒温辐射块。本发明提供的多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法，采用了多级吹扫式硅片处理单元，可方便采用独立的工作气体流量比例及刻蚀时间，实现快捷高效的硅片处理过程；配合硅片运动载台及恒温辐射块提高刻蚀速率，从而实现在线连续处理，并提高硅片制绒效果。

主权项

一种多级吹扫式硅片制绒处理装置，包括反应腔室(1)，所述反应腔室(1)内设有硅片运动载台(7)，其特征在于，所述反应腔室(1)上至少设有两个等离子体下游吹扫式处理单元(2)，所述反应腔室(1)的进口处设有前缓冲腔室(10)和前闸板阀(11)，所述反应腔室(1)的出口处设有后缓冲腔室(6)和后闸板阀(5)，所述反应腔室(1)上靠近后缓冲腔室(6)处设有反应腔真空抽口(3)，所述硅片运动载台(7)的下方设有恒温辐射块(9)；所述等离子体下游吹扫式处理单元(2)包括等离子体激发腔(208)，所述等离子体激发腔(208)的一侧和微波谐振腔(201)相连通，所述等离子体激发腔(208)的上部和微波谐振腔(201)位于反应腔室(1)外，所述等离子体激发腔(208)的下部设有贯穿伸入反应腔室(1)中的喷管口(207)，所述喷管口(207)旁设有抽真空管道(204)，所述抽真空管道(204)内形成有气化腔室(206)并设有真空蝶阀(205)。