[发明专利]一种低温化学气相沉积生长单层石墨烯薄膜的方法无效
| 申请号： | 201510167967.3 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104773726A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 陈林锋;孔知之 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温化学气相沉积生长单层石墨烯薄膜的方法，属于二维薄膜材料制备技术领域。其制法为：1）制备合金基底；（2）对合金基底进行平整化处理；（3）在保护性气氛下，对合金基底进行退火处理；（4）采用化学气相沉积法沉积石墨烯，冷却至室温，即得生长有单层石墨烯薄膜的合金基底，所述化学气相沉积法的条件为：温度为200-800℃，时间为5-180min，碳源为气相碳源、液相碳源或固相碳源。其优点为：该方法简单便捷，且成本低廉，较低的温度下，制备了均匀单层高质量石墨烯的；该方法具有普适性；条件简单、温和；产品分布均匀，重复性好，适合应用于工业化生产，尤其适用于单层或少层石墨烯的可控制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 化学 沉积 生长 单层 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种低温化学气相沉积生长单层石墨烯薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）制备合金基底；（2）对步骤（1）得到的合金基底进行平整化处理；（3）在保护性气氛下，对步骤（2）得到的合金基底进行退火处理；（4）采用化学气相沉积法在步骤（3）处理后的基底上沉积石墨烯，冷却至室温，即得生长有单层石墨烯薄膜的合金基底，所述化学气相沉积法的条件为：温度为200‑800℃，时间为5‑180min，碳源为气相碳源、液相碳源或固相碳源。
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