[发明专利]一种多孔CoFe2O4纳米棒阵列薄膜材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510168807.0 申请日: 2015-04-08
公开(公告)号: CN104876450B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 李新勇;熊巍;肇启东 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C03C17/22 分类号: C03C17/22;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 大连理工大学专利中心21200 代理人: 梅洪玉
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种多孔CoFe2O4纳米棒阵列薄膜材料及其制备方法,属于材料制备工艺领域。以硝酸钴、去离子水、氟化氨和脲为原料配制混合溶液,将预处理好的基底和配制好的溶液转移至反应釜中水热反应,最后把所得样品反复用去离子水冲洗并烘干,干燥后的纳米棒模板通过与硝酸铁溶液进行液相反应,烘干煅烧后得到CoFe2O4纳米棒阵列薄膜材料。该材料是由排列整齐有序的多孔CoFe2O4纳米棒阵列组成的,棒的长度在1.5~3μm,直径在70~130nm。本发明所用原材料廉价易得,操作简易,制备方法简单,易于控制,设备要求低是一种环保的制备方法。制备的CoFe2O4纳米棒阵列薄膜可用于锂电池,光电催化等领域。
搜索关键词: 一种 多孔 cofe sub 纳米 阵列 薄膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种多孔CoFe2O4纳米棒阵列薄膜材料,其特征在于,该多孔CoFe2O4纳米棒阵列薄膜材料包括CoFe2O4纳米棒和基底;CoFe2O4纳米棒为多孔结构,其紧密地生长在基底上,CoFe2O4纳米棒的直径为70~130nm,长度为1.5~3μm;基底材质为具有支撑功能的片状结构的导电或不导电材料。
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