[发明专利]与非型快闪存储器的读出方法及与非型快闪存储器

摘要

本发明提供一种与非型快闪存储器的读出方法及与非型快闪存储器，无须使用负电压产生电路便能够读出记忆胞的负的阈值。本发明的与非型快闪存储器包括读出放大器(172)、位线选择电路(200)及阵列，所述阵列形成有多个与非串的串单元(NU)。且本发明的与非型快闪存储器具有：施加元件，在读出动作时，在被选择的位线的预充电后，以固定期间对源极线(SL)、形成有所选择的记忆胞的P阱(210)及与被选择的位线邻接的未被选择的位线施加正电压。

主权项

1.一种与非型快闪存储器的读出方法，其特征在于，所述与非型快闪存储器的读出方法是将电压预充电至所选择的位线，并且对被选择的字线施加用于判定记忆胞的阈值的第1电压，且对未被选择的字线施加无论记忆胞的状态如何均使记忆胞导通的第2电压，将经预充电的被选择的位线电性耦合于源极线而使被选择的位线放电后，探测被选择的位线的电压，所述与非型快闪存储器的读出方法包括如下步骤：在预充电期间内，对所述被选择的字线施加所述第1电压，并对所述未被选择的字线施加所述第2电压，并且导通与非串的存储器阵列的位线侧选择晶体管，并且对所述被选择的位线施加预充电电压；在所述被选择的位线的预充电后，对所述源极线、形成有所选择的记忆胞的P阱及与被选择的位线邻接的未被选择的位线施加正电压，并且将所述被选择的位线的电压藉由电容耦合而升压；导通所述与非串的存储器阵列的源极线侧选择晶体管，并对应所选择的记忆胞的状态而开始所述被选择的位线的放电；在所述被选择的位线的放电开始后停止施加所述正电压；以及在所述正电压的施加停止后，藉由断开所述源极线侧选择晶体管而使所述被选择的位线的放电终止。