[发明专利]一种近场热辐射高效传热无装药MEMS发火芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种近场热辐射高效传热无装药MEMS发火芯片及其制备方法，该发火芯片自下而上依次包括SiO2底层、下粘接Ti层、下电极Au层、近场热辐射层、中粘接Ti层、上电极Au层、SiO2腔支撑层、上粘接Ti层、Al层和CuO层，近场热辐射层和SiO2腔支撑层构成高效传热结构，CuO层和Al层构成含能金属材料层，CuO层和Al层为多层交替设置。本发明将焦耳热通过近场热辐射效应高效传递给含能材料，减少了无装药MEMS发火芯片的热散失，提高了能量利用率和总体发火输出；用含能金属替代传统火工药剂改善了含能材料与换能元紧密接触难问题。本发明有利于提高无装药MEMS发火芯片的发火能力和可靠性。

主权项

近场热辐射高效传热无装药MEMS发火芯片，其特征在于，自下而上依次包括SiO2底层(1)、下粘接Ti层(2)、下电极Au层(3)、近场热辐射层(4)、中粘接Ti层(5)、上电极Au层(6)、SiO2腔支撑层(7)、上粘接Ti层(8)、Al层(9)和CuO层(10)，近场热辐射层(4)和SiO2腔支撑层(7)构成近场热辐射高效传热结构，CuO层(10)和Al层(9)构成含能金属材料层，CuO层(10)和Al层(9)为多层交替设置。