[发明专利]不同光刻机之间的套刻匹配方法

摘要

本发明涉及一种不同光刻机之间的套刻匹配方法，包括以下步骤：提供掩膜版；掩膜版上形成有掩膜图案，掩膜图案包括等间距且成矩形阵列排布的套刻标记图形；将第一光刻机和第二光刻机中光刻性能较佳的一个设置为初始机台，另一个设置为二次机台；利用初始机台以及掩膜版在测试晶圆上光刻形成第一次光刻图形；将掩膜版相对于对准位置进行一定量的偏移后利用二次机台将掩膜版上的图形曝光到测试晶圆的第一次光刻图形上并显影后形成二次光刻图形；测试第一次光刻图形和二次光刻图形之间的套刻精度并根据套刻精度对二次机台的参数进行调整。上述不同光刻机之间的套刻匹配方法具有操作简单且生产成本较低的优点。

主权项

一种不同光刻机之间的套刻匹配方法，用于实现第一光刻机和第二光刻机之间的套刻匹配，包括以下步骤：提供掩膜版；所述掩膜版上形成有掩膜图案，所述掩膜图案包括等间距且成矩形阵列排布的套刻标记图形；将所述第一光刻机和第二光刻机中光刻性能较佳的一个设置为初始机台，另一个设置为二次机台；利用所述初始机台以及所述掩膜版在测试晶圆上光刻形成第一次光刻图形；将所述掩膜版相对于对准位置进行一定量的偏移后利用所述二次机台将所述掩膜版上的图形曝光到所述测试晶圆的第一次光刻图形上并显影后形成二次光刻图形；所述掩膜版的偏移距离小于所述套刻标记图形的间距；测试所述第一次光刻图形和所述二次光刻图形之间的套刻精度并根据所述套刻精度对所述二次机台的参数进行调整。