[发明专利]具RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201510170810.6 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN106158921B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 祁树坤;张广胜;孙贵鹏;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、源极、漏极、体区、P型场限环及衬底上的阱区，阱区包括：插入式阱，掺杂类型为P型，设于漏极的下方并与漏极相接；N阱，设于插入式阱的两侧；P阱，设于N阱的旁边并与N阱连接；P型场限环设于N阱内，为封闭的环状结构，且位于漏极的下方外围，将漏极包围；插入式阱在其长度方向上延伸至与所述P型场限环相接触的位置，源极和体区设于所述P阱内。本发明能够确保交流高频开关状态下P型场限环与N阱之间保持稳定的结电容，有助于改善器件的动态特性，避免出现尖峰电流。 | ||
| 搜索关键词： | resurf 结构 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种具RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、源极、漏极、体区及衬底上的阱区，其特征在于，所述阱区包括：插入式阱，掺杂类型为P型，设于所述漏极的下方并与漏极和衬底相接；N阱，设于所述插入式阱的外围，所述插入式阱插入所述N阱中，所述插入式阱的宽度小于漏极的宽度从而使漏极的两侧与所述N阱相接；P阱，设于所述N阱的外围并与N阱相接；所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管还包括P型场限环，所述P型场限环设于所述N阱内，为封闭的环状结构，且位于所述漏极的下方外围，将所述漏极包围；所述插入式阱在其长度方向上延伸至与所述P型场限环相接触的位置，所述源极和体区设于所述P阱内。
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