[发明专利]一种硅基光电子系统的制备方法在审
| 申请号： | 201510170914.7 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106159036A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 华锋;张琦;吴东平;许鹏;付超超;王言 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 蒋雅洁;李睿 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种硅基光电子系统的制备方法，其特征在于，所述硅基光电子系统包括第一基底；所述方法包括：在所述第一基底的第一区域上形成光波导子区域以及调制器子区域；在所述第一基底的第二区域上形成探测器子区域；在具有所述光波导子区域、所述调制器子区域以及所述探测器子区域的第一基底上形成介质层；至少对具有所述介质层、光波导子区域以及调制器子区域对应的所述第一区域，或者至少对具有所述介质层以及所述探测器子区域对应的第二区域进行微波退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 子系统 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基光电子系统的制备方法，其特征在于，所述硅基光电子系统包括第一基底；所述方法包括：在所述第一基底的第一区域上形成光波导子区域以及调制器子区域；在所述第一基底的第二区域上形成探测器子区域；在具有所述光波导子区域、所述调制器子区域以及所述探测器子区域的第一基底上形成介质层；至少对具有所述介质层、光波导子区域以及调制器子区域对应的所述第一区域，或者至少对具有所述介质层以及所述探测器子区域对应的第二区域进行微波退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
