[发明专利]用于显示设备的阵列基板有效

专利信息
申请号: 201510171189.5 申请日: 2010-06-08
公开(公告)号: CN104851918B 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 崔熙东;崔惠英;梁斗锡 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,王凯
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于显示设备的阵列基板,该阵列基板包括基板,其具有像素区域,该像素区域包括开关区域、驱动区域和存储区域;位于基板上方的选通线、数据线和电源线;位于基板上并且位于开关区域中的开关薄膜晶体管(TFT),开关TFT连接到选通线和数据线并且包括第一开关栅极、开关栅绝缘层、开关有源层、第一和第二开关欧姆接触层、开关源极、以及开关漏极;位于基板上并且位于驱动区域中的驱动TFT,驱动TFT连接到开关TFT和电源线并且包括第一驱动栅极、驱动栅绝缘层、驱动有源层、第一和第二驱动欧姆接触层、驱动源极、以及驱动漏极;以及像素电极,其连接到驱动漏极并设置在像素区域中,其中开关TFT还包括位于开关有源层上方的第二开关栅极。
搜索关键词: 用于 显示 设备 阵列
【主权项】:
一种用于显示设备的阵列基板,该阵列基板包括:位于包括像素区域的基板上方的选通线和数据线,所述选通线和所述数据线彼此交叉以限定所述像素区域;位于所述基板上并连接到所述选通线和所述数据线的薄膜晶体管TFT,所述TFT包括掺杂多晶硅的第一栅极、位于所述第一栅极上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的本征多晶硅的有源层、接触所述有源层的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层、位于所述第一欧姆接触层上的源极、位于所述第二欧姆接触层上的漏极、以及位于所述有源层上方并且位于第一钝化层上的金属材料的第二栅极;位于所述基板的表面上的层间绝缘层,所述层间绝缘层的一部分对应于开关有源层和驱动有源层中的每一层的中心并且用作蚀刻阻止部;位于所述层间绝缘层的表面上的第一钝化层,该表面包括形成在该表面上的所述源极和所述漏极,其中,所述第一钝化层、所述层间绝缘层和所述栅绝缘层包括使所述第一栅极露出的栅接触孔;以及像素电极,其连接到所述漏极并设置在所述像素区域中,其中,所述层间绝缘层包括第一有源接触孔和第二有源接触孔,所述第一有源接触孔和所述第二有源接触孔分别露出所述有源层的两侧,其中,形成在所述层间绝缘层上并且形成在所述第一有源接触孔和所述第二有源接触孔的内部表面上的所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层分别通过所述第一有源接触孔和所述第二有源接触孔接触所述有源层。
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