[发明专利]阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置，属于显示技术领域。该方法包括在衬底基板上依次形成栅极金属图案和栅极绝缘层；在衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，源漏极金属图案包括源漏极，预设金属至少包括铜；在衬底基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层，组成钝化层；在钝化层上，源漏极的间隙上方形成沟道，氧化硅层上的沟道宽度小于氮化硅层上的沟道宽度，且大于或等于源漏极的间隙距离；在源漏极金属图案上形成与氮化硅层不接触的氧化物沟道图案。本发明解决了Cu金属层被氧化的程度较高，且阵列基板的显示特性较差的问题，实现了降低Cu金属层被氧化的程度，提高阵列基板显示特性的效果，用于显示装置。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上依次形成栅极金属图案和栅极绝缘层；在形成所述栅极绝缘层的衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，所述源漏极金属图案包括：源极和漏极，所述预设金属至少包括铜；在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层，所述氮化硅层和氧化硅层组成钝化层；在所述钝化层上，所述源极和所述漏极的间隙上方形成沟道，其中，所述氧化硅层上的沟道的宽度小于所述氮化硅层上的沟道的宽度，且所述氧化硅层上的沟道的宽度大于所述源极和所述漏极的间隙的距离；在所述源漏极金属图案上形成氧化物沟道图案，所述氧化物沟道图案与所述氮化硅层不接触；在形成所述氧化物沟道图案的衬底基板上形成有机膜。