[发明专利]基于可控硅的放电电路有效

专利信息
申请号: 201510171410.7 申请日: 2015-04-13
公开(公告)号: CN104767192B 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 赵秋毅;于民东;彭树文;王麟 申请(专利权)人: 核工业理化工程研究院
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 天津市宗欣专利商标代理有限公司12103 代理人: 胡恩河
地址: 300180 *** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于可控硅的放电电路,包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6,电阻R6另一端与第一可控硅模块中的Ⅰ号可控硅、Ⅱ号可控硅,第二可控硅模块中的Ⅲ号可控硅、Ⅳ号可控硅依次串联,所述的Ⅰ号可控硅两端与电阻R7并联,Ⅱ号可控硅与电阻R8并联,Ⅲ号可控硅与电阻R9并联,Ⅳ号可控硅与电阻R10并联,Ⅰ号可控硅的K1、G1引脚,Ⅱ号可控硅的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅的K4、G4引脚均由驱动电路的脉冲信号驱动。本发明能够保证充磁电源安全性,充磁电源的封闭环境一旦遭到破坏,驱动电路发出脉冲驱动信号,驱动可控硅的导通,可控硅导通的同时充磁电源上的高压直流电通过放电电阻。
搜索关键词: 基于 可控硅 放电 电路
【主权项】:
一种基于可控硅的放电电路,包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6,其特征在于:电阻R6另一端与第一可控硅模块(1)中的Ⅰ号可控硅(3)、Ⅱ号可控硅(4),第二可控硅模块(2)中的Ⅲ号可控硅(5)、Ⅳ号可控硅(6)依次串联,所述的Ⅰ号可控硅(3)两端与电阻R7并联,Ⅱ号可控硅(4)与电阻R8并联,Ⅲ号可控硅(5)与电阻R9并联,Ⅳ号可控硅(6)与电阻R10并联,Ⅰ号可控硅(3)的K1、G1引脚,Ⅱ号可控硅(4)的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅(5)的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅(6)的K4、G4引脚均由驱动电路(7)的脉冲信号驱动,所述驱动电路(7)包括接线端子CN1,接线端子CN1连接2W10整流桥(8)的交流端,2W10整流桥(8)的直流端连接RY继电器(9)的线圈,RY继电器(9)的线圈端并接二级管D1和电解电容C1,RY继电器(9)的线圈端负极与公共端之间连接电解电容C2,在RY继电器(9)的线圈端正极与继电器的常开触点之间连接二极管D2,在RY继电器(9)的线圈端负极与继电器的常闭触点之间连接电阻R11与电容C3,所述电阻R11与电容C3串联,将PT1脉冲变压器(10)的初级并接于电容C3上,将二极管D3并接于PT1脉冲变压器(10)的初级,PT1脉冲变压器(10)的两组次级分别连接PT2脉冲变压器(11)和PT3脉冲变压器(12)的初级,将二级管D4和D5分别并接于PT2脉冲变压器(11)和PT3脉冲变压器(12)的初级,PT2脉冲变压器(11)的两组次级分别连接于接线端子CN2和CN3,PT3脉冲变压器(12)的两组次级分别连接于接线端子CN4和CN5,接线端子CN2两端并接电阻R21和电容C4,接线端子CN3两端并接电阻R31和电容C5,接线端子CN4两端并接电阻R41和电容C6,接线端子CN5两端并接电阻R51和电容C7。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于核工业理化工程研究院,未经核工业理化工程研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510171410.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top