[发明专利]集成电路封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201510171945.4 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106158824B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 黄麟智;邓宏安;陈新瑜;吴仓聚;谢政杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。在载体上形成一个或多个再分布层。在RDL的第一侧上形成第一连接件。使用第一连接件将管芯接合至RDL的第一侧。在RDL的第一侧上和管芯周围形成密封剂。从上面的结构剥离载体，以及在RDL的第二侧上形成第二连接件。切割产生的结构以形成单独的封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路封装件的方法，包括：在载体上方形成一个或多个再分布层(RDL)；在所述一个或多个再分布层的第一侧上形成第一连接件；使用所述第一连接件将管芯接合至所述一个或多个再分布层的所述第一侧；在所述一个或多个再分布层的所述第一侧上和所述管芯周围形成密封剂；在形成所述密封剂之后，从所述一个或多个再分布层分离所述载体；以及在所述一个或多个再分布层的第二侧上形成第二连接件，所述第二侧与所述第一侧相对，其中，所述第二连接件大于所述第一连接件，所述一个或多个再分布层包括位于所述一个或多个再分布层的所述第一侧上的第一互连件和位于所述一个或多个再分布层的所述第二侧上的第二互连件，所述第二互连件的间距大于所述第一互连件的间距。
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