[发明专利]具有源极/漏极覆盖层的FinFET有效
| 申请号： | 201510172108.3 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106158958B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;冯家馨;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括半导体衬底以及延伸至半导体衬底内的隔离区。半导体鳍位于隔离区的相对部分之间，其中，半导体鳍位于隔离区的顶面上方。栅极堆叠件与半导体鳍重叠。源极/漏极区位于栅极堆叠件的侧部上并且连接至半导体鳍。源极/漏极区包括比半导体鳍薄的内部以及位于内部外侧的外部。半导体鳍和源极/漏极区的内部具有相同的IV族半导体的组分。本发明还涉及具有源极/漏极覆盖层的FinFET。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 覆盖层 finfet | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；隔离区，延伸至所述半导体衬底内；半导体鳍，位于所述隔离区的相对部分之间，其中，所述半导体鳍位于所述隔离区的顶面上方；栅极堆叠件，与所述半导体鳍的中间部分重叠；以及源极/漏极区，位于所述栅极堆叠件的侧部上并且连接至所述半导体鳍，其中，所述源极/漏极区包括：内部，包括第一部分和第二部分，所述第一部分的底面具有等于或者小于所述半导体鳍的中间部分的第二宽度的第三宽度，所述第二部分直接位于所述第一部分正上方并且具有与所述第一部分的顶面的宽度相等的第一宽度，所述第一宽度小于所述第三宽度，其中，所述半导体鳍和所述源极/漏极区的所述内部具有相同的IV族半导体的组分；和外部，位于所述内部外侧。
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