[发明专利]原位输运性质测量装置有效
| 申请号： | 201510172191.4 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN104777193B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 薛其坤;陈曦;王亚愚;胡小鹏;赵大鹏;郑澄;张定 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01R31/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种原位输运性质测量装置，包括一低维材料制备系统，用于制备膜状结构；以及一输运性质测量系统，用于测量所述膜状结构的输运性质；所述原位输运性质测量装置进一步包括一低维材料处理系统，用于在所述膜状结构的表面设置电极；所述低维材料制备系统、低维材料处理系统和输运性质测量系统之间通过磁力杆传送所述膜状结构，且所述低维材料制备系统、低维材料处理系统、输运性质测量系统中均为真空环境。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 输运 性质 测量 装置 | ||
【主权项】：
一种原位输运性质测量装置，包括：一低维材料制备系统，用于制备膜状结构；以及一输运性质测量系统，用于测量所述膜状结构的输运性质；其特征在于，所述原位输运性质测量装置进一步包括一低维材料处理系统，用于在所述膜状结构的表面设置电极；所述低维材料制备系统、低维材料处理系统和输运性质测量系统之间通过磁力杆传送所述膜状结构，且所述低维材料制备系统、低维材料处理系统、输运性质测量系统中均为真空环境；所述低维材料处理系统包括一电极蒸发源、一电极蒸镀腔、一传样腔、一刻划处理腔和一显微镜，所述传样腔分别与电极蒸镀腔和刻划处理腔连接，所述电极蒸发源通过一底法兰连接于电极蒸镀腔的底部，所述显微镜位于所述刻划处理腔的外部；所述低维材料制备系统通过一第二连接管与所述低维材料处理系统连接，所述低维材料处理系统通过一第三连接管与输运性质测量系统连接，所述第二连接管、第三连接管以及低维材料制备系统、低维材料处理系统和输运性质测量系统之间均通过法兰连接。
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