[发明专利]一种激光刻栅a-Si/c-Si径向异质结电池及其制备方法

摘要

一种激光刻栅a-Si/c-Si径向异质结电池及其制备方法，属于太阳电池领域。对N型双抛单晶硅衬底进行清洗；采用光刻工艺形成纳米柱图形；采用ICP刻蚀形成硅纳米柱阵列并去除光刻胶；采用激光烧蚀形成电极沟槽图案；对激光烧蚀区清洗；在N型衬底两面沉积本征非晶硅；在N型衬底正面沉积P型非晶硅，在反面沉积N型非晶硅；在硅片两面沉积ITO；在正面激光烧蚀形成的电极图案区域精确对准印刷Ag电极，并烘烤，背面印刷全Ag电极，并烘烤。这种电池具有较低的反射率和良好电极接触，结合了异质结电池高的开路电压的优势以及径向结电池良好的光生载流子收集能力的优势，电池效率较传统电池有明显提高。

主权项

一种微米结构激光刻栅a‑Si/c‑Si径向异质结太阳电池的制备方法，包括以下步骤：a)对N型双抛单晶硅衬底(201)进行清洗；b)采用光刻工艺在单晶硅衬底上形成微米柱图形，此面称为正面；c)在正面采用ICP刻蚀机进行刻蚀，形成硅微米柱阵列结构(203)；d)去除步骤c)N型衬底残余光刻胶(202)；e)采用激光烧蚀对步骤d)得到的N型硅衬底正反两面进行刻蚀形成电极沟槽图案(204)；f)对步骤e)对激光烧蚀电极沟槽图案(204)区进行清洗，去除激光烧蚀区损伤层及堆积物；g)在步骤f)N型衬底的正反两面分别沉积本征非晶硅(i‑a‑Si)(205)；h)在步骤g)N型衬底有微米柱的正面沉积在P型非晶硅(p‑a‑Si)(206)，在另一面反面沉积N型非晶硅(n‑a‑Si)(207)；i)采用PVD在步骤h)的N型衬底正反两面均沉积ITO(208)；j)采用丝网印刷在步骤i)N型衬底正面对应的激光烧蚀形成的电极沟槽图案(204)内精确对准印刷Ag电极(209)，并烘烤，反面印刷全Ag电极，并烘烤。