[发明专利]一种钛铝锆铌/氮化钛铝锆铌四元氮梯度膜的制备方法在审
申请号: | 201510173094.7 | 申请日: | 2015-04-14 |
公开(公告)号: | CN104726823A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 赵时璐;张钧;张震;王双红;张正贵 | 申请(专利权)人: | 沈阳大学 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/46 |
代理公司: | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人: | 戚羽 |
地址: | 110044 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种钛铝锆铌/氮化钛铝锆铌四元氮梯度膜的制备方法,其方法包括:1、沉积技术的确定;2、靶材成分的选用;3、工件的选择与预处理工艺;4、预轰击工艺;5、沉积工艺;6、加热冷却工艺;7、工件旋转工艺。本发明不仅增强了薄膜的硬度、耐磨性能及薄膜与基体间的结合力,而且极大改善了薄膜的抗高温氧化性能,其切削刀具适合在极其恶劣的切削环境下使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 钛铝锆铌 氮化 钛铝锆铌四元氮 梯度 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钛铝锆铌/氮化钛铝锆铌四元氮梯度膜的制备方法,其特征是:所述的四组元是钛、铝、锆和铌元素,薄膜结构是以钛铝锆铌合金膜为过渡层,以钛铝锆铌氮梯度膜为表层,一种钛铝锆铌/氮化钛铝锆铌四元氮梯度膜的制备方法依次包括:(1)、沉积技术的确定:确定多弧离子镀技术为钛铝锆铌/氮化钛铝锆铌氮梯度膜的沉积技术;(2)、靶材成分的选用:选用一个铌靶和三个钛铝锆合金靶的组合方式作为弧源,四个靶材互成90度配置,铌靶纯度为99.99%,钛铝锆合金靶中的钛:铝:锆原子比为65:30:5;(3)、工件的选择与预处理工艺:工件选择硬质合金和高速钢实际切削刀具,其表面使用金属洗涤剂进行常规去油、去污处理,然后进行抛光处理,最后分别使用丙酮和乙醇进行超声波清洗,烘干后装入真空室准备镀膜;(4)、预轰击工艺:在沉积钛铝锆铌/氮化钛铝锆铌四元氮梯度膜之前,预先进行离子轰击工艺,当镀膜室背底真空度达到10‑3帕、温度达到260~270摄氏度时通入保护气体氩气,当镀膜室真空度达到1.5´10‑1~2.0´10‑1帕时,同时开启四个弧源进行离子轰击15分钟,钛铝锆合金靶和铌靶的弧电流分别控制为80安培和60安培,轰击偏压控制为350伏;(5)、沉积工艺:沉积钛铝锆铌/氮化钛铝锆铌四元氮梯度膜的具体工艺,分为两个阶段,第一阶段沉积钛铝锆铌合金过渡层,将镀膜室内的氩气压强仍保持在1.5´10‑1~2.0´10‑1帕,钛铝锆合金靶和铌靶的弧电流分别置于80安培和60安培,工件偏压控制为100~200伏,沉积时间为10分钟;第二阶段沉积钛铝锆铌氮梯度表层,镀膜室内停止通入氩气,而通入反应气体氮气,其压强从1.5´10‑1~2.0´10‑1帕逐级增加到2.5´10‑1~3.0´10‑1帕,钛铝锆合金靶和铌靶的弧电流仍分别置于80安培和60安培,工件偏压控制为100~200伏,沉积时间为30分钟;(6)、加热冷却工艺:工件预轰击工艺之前进行电热体烘烤加热,升温速度控制在3~5摄氏度/分钟,1小时后达到260~270摄氏度;沉积过程结束后对所沉积的钛铝锆铌/氮化钛铝锆铌四元氮梯度膜也进行加热烘烤,采用小电流进行微加热10~15分钟,钛铝锆合金靶和铌靶的弧电流分别从80安培和60安培逐渐降至20安培,随后关闭所有靶材的弧电流,工件随炉冷却至室温即可;(7)、工件旋转工艺:在薄膜制备的整个过程中,一直保持工件旋转,传动轴电压为35伏,转速控制为6~12转/分钟;按照上述方法可以获得钛铝锆铌/氮化钛铝锆铌四元氮梯度膜。
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