[发明专利]一种获取非对称装置栅的堆叠电容的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种获取非对称装置栅堆叠电容的方法，通过提供一设置的源漏极的特性尺寸均与待测的非对称MOS器件上的源极或漏极尺寸相同的对称MOS器件，以使得该对称MOS器件的Cgs和Cgd均与该待测非对称结构的Cgs或Cgd相等，并利用该对称MOS器件的Cgc与Vgs之间的关系曲线特征来获取该非对称器件结构的栅堆叠电容值，即获取该对称MOS器件的Cgs和Cgd的值，相应的也就获得了待测非对称结构的Cgs或Cgd的值，并进一步利用待测非对称MOS器件的Cgc与Vgs之间的关系曲线特征和待测非对称结构的Cgs或Cgd的值，以精准的获取该待测非对称结构的栅堆叠电容值。

主权项

1.一种获取非对称装置栅的堆叠电容的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一栅源电容与栅漏电容不相等的待测非对称MOS器件；采用与所述待测非对称MOS器件的源极相同的制备工艺，制备一对称MOS器件的源极和漏极，以使得该对称MOS器件的栅源电容、栅漏电容均与所述待测非对称MOS器件的栅源电容相等；采用量测工艺获取所述对称MOS器件的栅沟道电容，并根据该对称MOS器件的栅沟道电容、栅源电容及栅漏电容之间的函数关系，计算出所述对称MOS器件的栅源电容、栅漏电容，以得到所述待测非对称MOS器件的栅源电容；采用量测工艺获取所述待测非对称MOS器件的栅沟道电容，并根据该待测非对称MOS器件的栅沟道电容、栅源电容及栅漏电容之间的函数关系，计算所述待测非对称MOS器件的栅漏电容。