[发明专利]一种Flash产品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法

摘要

本发明公开了一种Flash产品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法，包括对待分析Flash样品的上表面各层进行减薄处理，露出含有ONO薄膜缺陷的储存单元的第一多晶硅层区域，使用选择性化学溶液对第一多晶硅层进行腐蚀去除，露出ONO薄膜，在ONO薄膜缺陷处，通过化学溶液继续对该缺陷下方的第二多晶硅层进行腐蚀去除，对被腐蚀的ONO薄膜缺陷处进行定位，并制备缺陷平面样品，供进一步进行缺陷观察及失效分析。本发明可以更方便、准确且更精细地分析Flash产品的ONO薄膜缺陷，大大提高失效分析的效率，从而帮助迅速提高Flash产品的良率和可靠性。

主权项

一种Flash产品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一待分析Flash样品，所述样品至少包括依次由第一多晶硅层、ONO薄膜、第二多晶硅层形成的重复储存单元结构；其中，所述样品形成于一半导体衬底上，在第二多晶硅层与衬底之间具有栅氧层；步骤S02：对所述样品的上表面各层进行减薄处理，并至少将含有ONO薄膜缺陷的所述储存单元的第一多晶硅层区域露出；步骤S03：使用选择性化学溶液，对所述第一多晶硅层进行腐蚀去除，露出ONO薄膜；并且，在ONO薄膜缺陷处，通过化学溶液继续对该缺陷下方的第二多晶硅层进行腐蚀去除，直至形成一个腐蚀空腔；步骤S04：使用SEM对被腐蚀的ONO薄膜缺陷处进行定位，并制备缺陷平面样品，供进一步进行缺陷观察及失效分析；其中，制备缺陷平面样品的方法包括：对所述样品的下表面各层进行减薄处理，停止在所述第二多晶硅层，并将ONO薄膜缺陷处下方所述第二多晶硅层被腐蚀后形成的空腔露出，以制作成平面TEM样品，并通过TEM的电子束在ONO薄膜缺陷处的穿透，以形成明显有别于其他部位的良好衬度，进行缺陷观察及失效分析。