[发明专利]半导体器件的制备工艺在审
| 申请号： | 201510174038.5 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106158647A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备工艺，通过采用化学下游刻蚀工艺在湿法刻蚀之前先对先前形成的沟槽进行表面进行平滑处理，从而使得在后续湿法刻蚀工艺中能够较好地控制沟槽的形貌，并且通过在湿法刻蚀之后对沟槽的参数进行测量，从而基于这些参进一步优化刻蚀工艺中的工艺条件，使得能够更为精确地控制刻蚀之后形成的源漏沟槽的形貌和尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备工艺，其特征在于，应用于MOS应力结构的制备工艺中，所述制备工艺包括：步骤S1、提供一半导体衬底，于所述半导体之上制备栅堆叠结构后，于所述半导体衬底临近所述栅堆叠结构的区域中形成轻掺杂区；步骤S2、干法刻蚀所述轻掺杂区，以于所述半导体衬底中形成沟槽；步骤S3、对所述沟槽的内部表面进行平滑处理后，刻蚀所述沟槽的内部表面，以于所述沟槽的侧壁中形成尖状凹陷；步骤S4、于所述沟槽中外延生长应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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