[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510174388.1 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN106298950B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 方国龙;高逸群;林欣桦;李志隆;施博理 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，包括：基板；栅极，设置在该基板上；栅极绝缘层覆盖该栅极；沟道层，设置在该栅极绝缘层上；蚀刻阻挡层，设置在该沟道层上，且该蚀刻阻挡层定义第一通孔与第二通孔；源极设置在该蚀刻阻挡层上经该第一通孔与该沟道层连接，且沿该蚀刻阻挡层延伸到该栅极绝缘层；及漏极设置在该蚀刻阻挡层上经该第二通孔与该沟道层连接，且沿该蚀刻阻挡层延伸到该栅极绝缘层。本发明还涉及一种薄膜晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：基板；栅极，设置在该基板上；栅极绝缘层，覆盖该栅极；沟道层，设置在该栅极绝缘层上；蚀刻阻挡层，设置在该沟道层上，且该蚀刻阻挡层定义第一通孔与第二通孔，该沟道层的相对两侧边未被该蚀刻阻挡层覆盖；源极，设置在该蚀刻阻挡层上经该第一通孔与该沟道层连接，且沿该蚀刻阻挡层延伸覆盖该沟道层的未被该蚀刻阻挡层覆盖的相对两侧边中的一侧边到该栅极绝缘层一侧；及漏极，设置在该蚀刻阻挡层上经该第二通孔与该沟道层连接，且沿该蚀刻阻挡层延伸覆盖该沟道层的未被该蚀刻阻挡层覆盖的相对两侧边中的另一侧边到该栅极绝缘层的另一侧。
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