[发明专利]相变化记忆体

摘要

一种相变化记忆体，包含第一区域与第二区域。第一区域以第一方向排列，一第一记忆体单元置于第一区域内。第二区域以第二方向排列，一第二记忆体单元置于第二区域内。第一区域与第二区域有部分区域交错重叠。第一记忆体单元与第二记忆体单元分别包含两个互相并联的晶体管。第一方向与第二方向互相交错以形成一夹角，且夹角为约90度。如此一来，相变化记忆体具有较密的布局，因此在单位面积中，相变化记忆体能够容纳较多的记忆体单元。

主权项

一种相变化记忆体，其特征在于，包含：一第一区域，以一第一方向排列，一第一记忆体单元置于该第一区域内，该第一记忆体单元包含两个互相并联的晶体管；以及一第二区域，以一第二方向排列，一第二记忆体单元置于该第二区域内，该第二记忆体单元包含两个互相并联的晶体管；该第一区域与该第二区域有部分区域重叠；该第一方向与该第二方向互相交错以形成一夹角，且该夹角为约90度。