[发明专利]检测晶圆的方法在审
| 申请号： | 201510174796.7 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN106158683A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈勇吉;陈金圣 | 申请（专利权）人： | 陈勇吉;陈金圣 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;丛芳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测晶圆的方法，该晶圆包含至少一个晶粒封环，之后沿晶粒封环的外围切割晶圆。检测晶圆的方法包含提供至少一个偏振光并打至晶圆上。感测从晶圆反射的偏振光的影像。根据影像分析对应晶圆的晶粒封环的区域是否有层间瑕疵。根据本发明的检测晶圆的方法，因检测晶圆的方法以偏振光检测晶圆于切割后的影像，影像呈现偏振光的相位差或反射率差异，可减少检测装置的成本，并大幅加快检测速度与准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种检测晶圆的方法，其特征在于，所述晶圆包含至少一个晶粒封环，之后沿所述晶粒封环的外围切割所述晶圆，所述方法包含：提供至少一个偏振光并打至所述晶圆上；感测从所述晶圆反射的所述偏振光的影像；以及根据所述影像，分析对应所述晶圆的所述晶粒封环的区域是否有层间瑕疵。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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