[发明专利]一种制备硅胶振膜的方法和硅胶振膜有效
申请号: | 201510175913.1 | 申请日: | 2015-04-14 |
公开(公告)号: | CN104853303B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 郭晓冬;王文海 | 申请(专利权)人: | 歌尔股份有限公司 |
主分类号: | H04R31/00 | 分类号: | H04R31/00 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;吴昊 |
地址: | 261031 山东省潍*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备硅胶振膜的方法和硅胶振膜,所述方法包括:将两层基材和液体硅胶通过压延方式形成复合料带,所述液体硅胶处于所述两层基材之间;通过振膜模座对所述复合料带进行整版热压成型,所述热压成型的温度高于所述液体硅胶的硫化温度;去除所述两层基材,获取整版的硅胶振膜;对所述去除两层基材的整版的硅胶振膜进行冲裁以制备出需要的硅胶振膜。本发明的技术方案相比于传统方案,具有成型方式简单、成本低、振膜形式多样、振膜厚度薄的优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 硅胶 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备硅胶振膜的方法,其特征在于,所述方法包括:将两层基材和液体硅胶通过压延方式形成复合料带,所述液体硅胶处于所述两层基材之间;通过振膜模座对所述复合料带进行整版热压成型,所述热压成型的温度高于所述液体硅胶的硫化温度;去除所述两层基材,获取整版的硅胶振膜;对所述去除两层基材的整版的硅胶振膜进行冲裁以制备出需要的硅胶振膜。
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