[发明专利]一种超结二极管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510175939.6 申请日: 2015-04-14
公开(公告)号: CN106158625A 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 李理;马万里;赵圣哲;姜春亮 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329;H01L21/28;H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/45
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种超结二极管的制造方法,包括:在硅衬底层表面形成至少包括一个交替设置的P型柱和N型柱的超结结构层,在超结结构层表面形成绝缘层;在P型柱上形成欧姆接触窗口并填充第一金属层材料,形成欧姆接触;在N型柱上形成肖特基接触窗口并填充第二金属层材料,形成肖特基接触;第一金属层与第二金属层间设置有刻蚀后的所述绝缘层。本发明通过超结结构,在P型柱上形成欧姆接触,在N型柱上形成肖特基接触,降低了器件的正向阻抗和反向漏电流,同时提高了器件的耐压性。本发明还公开了一种超结二极管,所述超结二极管改善了肖特基二极管的性能。
搜索关键词: 一种 二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种超结二极管的制造方法,其特征在于,该方法包括:在硅衬底层上依次形成超结结构层和绝缘层,所述超结结构层至少包括一个交替设置的P型柱和N型柱;刻蚀仅位于所述P型柱上的绝缘层形成欧姆接触窗口,在所述欧姆接触窗口内填充第一金属层,形成欧姆接触;刻蚀仅位于所述N型柱上的绝缘层形成肖特基接触窗口,在所述肖特基接触窗口内填充第二金属层,形成肖特基接触;所述第一金属层与所述第二金属层间设置有刻蚀后的所述绝缘层。
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