[发明专利]一种超结二极管及其制造方法在审
申请号: | 201510175939.6 | 申请日: | 2015-04-14 |
公开(公告)号: | CN106158625A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 李理;马万里;赵圣哲;姜春亮 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/28;H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/45 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种超结二极管的制造方法,包括:在硅衬底层表面形成至少包括一个交替设置的P型柱和N型柱的超结结构层,在超结结构层表面形成绝缘层;在P型柱上形成欧姆接触窗口并填充第一金属层材料,形成欧姆接触;在N型柱上形成肖特基接触窗口并填充第二金属层材料,形成肖特基接触;第一金属层与第二金属层间设置有刻蚀后的所述绝缘层。本发明通过超结结构,在P型柱上形成欧姆接触,在N型柱上形成肖特基接触,降低了器件的正向阻抗和反向漏电流,同时提高了器件的耐压性。本发明还公开了一种超结二极管,所述超结二极管改善了肖特基二极管的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种超结二极管的制造方法,其特征在于,该方法包括:在硅衬底层上依次形成超结结构层和绝缘层,所述超结结构层至少包括一个交替设置的P型柱和N型柱;刻蚀仅位于所述P型柱上的绝缘层形成欧姆接触窗口,在所述欧姆接触窗口内填充第一金属层,形成欧姆接触;刻蚀仅位于所述N型柱上的绝缘层形成肖特基接触窗口,在所述肖特基接触窗口内填充第二金属层,形成肖特基接触;所述第一金属层与所述第二金属层间设置有刻蚀后的所述绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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