[发明专利]一种半导体器件和电子装置有效
| 申请号： | 201510176176.7 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN106158942B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 钟雷;李宏伟;罗婵;季林燕;程惠娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。包括P型半导体衬底；第一N阱位于P型半导体衬底内；第二N阱位于P型半导体衬底内与第一N阱间隔；P阱位于半导体衬底内与第二N阱相邻且接触并与第一N阱间隔；第一N+注入区和第一P+注入区彼此间隔位于第一N阱内；第二P+注入区和第二N+注入区彼此间隔位于第二N阱内；第三P+注入区、第四P+注入区和第三N+注入区彼此间隔位于P阱内，其中，第二P+注入区为半导体器件的阳极，第四P+注入区和第三N+注入区为阴极，第一N+注入区和第三P+注入区相连接，第一P+注入区和第二N+注入区相连接。该半导体器件可实现优异的ESD防护性能及对SCR器件的快速触发。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：P型半导体衬底；第一N阱，位于所述P型半导体衬底内；第二N阱，位于所述P型半导体衬底内，与所述第一N阱彼此间隔；P阱，位于所述P型半导体衬底内，与所述第二N阱相邻且接触，并与所述第一N阱间隔；第一N+注入区和第一P+注入区，彼此间隔位于所述第一N阱内；第二P+注入区和第二N+注入区，彼此间隔位于所述第二N阱内；第三P+注入区、第四P+注入区和第三N+注入区，彼此间隔位于所述P阱内,其中，所述第二P+注入区构成所述半导体器件的阳极，所述第四P+注入区和所述第三N+注入区构成所述半导体器件的阴极，所述第一N+注入区和所述第三P+注入区相连接，所述第一P+注入区和所述第二N+注入区相连接。
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