[发明专利]TFT布局结构

摘要

本发明提供一种TFT布局结构，包括受同一控制信号线控制的第一薄膜晶体管(T1)、与第二薄膜晶体管(T2)；第一薄膜晶体管(T1)的第一有源层(SC1)、与第二薄膜晶体管(T2)的第二有源层(SC2)位于不同层别，并在空间上层叠设置，第一薄膜晶体管(T1)的第一源极(S1)、及第一漏极(D1)形成于第一有源层(SC1)上，第二薄膜晶体管(T2)的第二源极(S2)、及第二漏极(D2)形成于第二有源层(SC2)上；栅极层(Gate)电性连接所述控制信号线控制第一、第二薄膜晶体管(T1、T2)的打开与关闭。该TFT布局结构能够缩小电路布局的空间，增加显示面板的开口率，满足显示面板窄边框、及高分辨率的要求。

主权项

一种TFT布局结构，其特征在于，包括受同一控制信号线控制的第一薄膜晶体管(T1)、与第二薄膜晶体管(T2)；所述第一薄膜晶体管(T1)包括栅极层(Gate)、第一有源层(SC1)、第一源极(S1)、及第一漏极(D1)，所述第二薄膜晶体管(T2)包括栅极层(Gate)、第二有源层(SC2)、第二源极(S2)、及第二漏极(D2)；所述第一有源层(SC1)、与第二有源层(SC2)位于不同层别，并在空间上层叠设置，所述第一源极(S1)、及第一漏极(D1)形成于第一有源层(SC1)上，所述第二源极(S2)、及第二漏极(D2)形成于第二有源层(SC2)上；所述栅极层(Gate)电性连接所述控制信号线控制第一、第二薄膜晶体管(T1、T2)的打开与关闭；所述第一有源层(SC1)、与第二有源层(SC2)在空间上相互交叉。