[发明专利]封装基板及其制作方法有效
申请号: | 201510176750.9 | 申请日: | 2015-04-15 |
公开(公告)号: | CN106158667B | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 王金胜;陈建铭 | 申请(专利权)人: | 旭德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种封装基板及其制作方法。其制作方法包括:形成第一底材。以电镀的方式形成多个金属凸块于第一底材上。提供具有上表面与下表面、核心介电层、第一铜箔层、第二铜箔层及多个容置凹槽的第二底材。形成黏着层于容置凹槽的内壁。压合第一与第二底材,以使金属凸块容置于容置凹槽内。移除第一底材。形成多个从上表面延伸至金属凸块的盲孔。形成导电材料层于第一及第二铜箔层上,其中导电材料层填满盲孔而定义出多个导通孔。图案化导电材料层而形成第一图案化金属层及第二图案化金属层。 | ||
搜索关键词: | 封装 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种封装基板的制作方法,包括:形成第一底材;以电镀的方式形成多个金属凸块于该第一底材上,其中该些金属凸块暴露出部分该第一底材;提供第二底材,该第二底材具有彼此相对的上表面与下表面、核心介电层、第一铜箔层、第二铜箔层以及多个容置凹槽,其中该第一铜箔层与该第二铜箔层分别位于该核心介电层彼此相对的两侧表面上,而该些容置凹槽由该下表面延伸穿过该第二铜箔层与该核心介电层而暴露出部分该第一铜箔层;形成黏着层于该些容置凹槽的内壁;压合该第一底材与该第二底材,以使该些金属凸块容置于该些容置凹槽内,且该些金属凸块通过该黏着层而固定于该些容置凹槽内;移除该第一底材,其中各该金属凸块的底表面与该第二底材的该下表面齐平;形成多个从该第二底材的该上表面延伸至该些金属凸块的盲孔;形成导电材料层于该第一铜箔层以及该第二铜箔层上,其中该导电材料层覆盖该第一铜箔层、该第二铜箔层以及该些金属凸块的该些底表面,且该导电材料层填满该些盲孔而定义出多个导通孔;以及图案化该导电材料层而形成第一图案化金属层以及第二图案化金属层,其中该第一图案化金属层位于该第一铜箔层上且连接该些导通孔,而该第二图案化金属层位于该第二铜箔层上,且该第一图案化金属层与该第二图案化金属层分别暴露出该核心介电层的部分两侧表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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