[发明专利]于晶格不匹配半导体基板上的无缺陷松弛覆盖层

摘要

本发明涉及于晶格不匹配半导体基板上的无缺陷松弛覆盖层，其中，在半导体基板(例如，硅)上面提供无缺陷松驰半导体覆盖层(例如，外延硅锗)，其具有约80％以上的应变松驰程度以及约100/cm2以下的非零贯穿差排密度。该基板与该覆盖层间存在晶格不匹配。该覆盖层也有可小于约0.5微米的非零厚度。实现该应变松驰程度及贯穿差排藉由暴露在基板上的初始半导体层的表面处或附近的缺陷(亦即，经由选择性蚀刻暴露缺陷以及填入生成的任何空隙)，平坦化该经填入表面，以及在经平坦化、填入的该表面上产生也被平坦化的覆盖层(例如，成长外延)。

主权项

1.一种制造半导体结构方法，包括：提供起始半导体结构，该结构包括：半导体基板，包含至少一第一半导体材料；以及在该基板上至少一第二半导体材料的第二层，其中，该基板与该第二层间存在晶格不匹配，以及其中，至少一缺陷出现且可暴露于该第二层中；暴露该至少一缺陷；填入该第二层中由该暴露所产生的任何空隙；以及在该填入后，以半导体覆盖层覆盖该第二层；其中，该覆盖层具有80％以上的应变松驰程度以及100/cm2以下的非零贯穿差排密度；以及其中，覆盖该第二层包括成长外延材料于该第二层上，硅锗用作该外延材料时，锗在该硅锗中的百分比在20％至100％的范围中。