[发明专利]一种半导体器件和电子装置有效
| 申请号： | 201510176990.9 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN106158959B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 钟雷;李宏伟;雷玮;程惠娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：P型衬底；第一N阱和第二N阱，彼此间隔位于所述P型衬底内；P阱，位于所述第一N阱和所述第二N阱之间的所述P型衬底内，且所述P阱与所述第一N阱和所述第二N阱相接触；第一P+扩散区和第二P+扩散区，分别位于所述第一N阱内和所述第二N阱内；第一N+扩散区和第二N+扩散区，分别位于所述P阱与所述第一N阱的交界区域和所述P阱与所述第二N阱的交界区域。本发明的半导体器件为一种双方向SCR器件，其具有高的维持电压和强鲁棒性，可提供更好的ESD防护性能。它也可以用来作为层叠结构，以满足不同的触发电压和灵活地维持电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：P型衬底；第一N阱和第二N阱，彼此间隔位于所述P型衬底内；P阱，位于所述第一N阱和所述第二N阱之间的所述P型衬底内，且所述P阱与所述第一N阱和所述第二N阱相接触；第一P+扩散区和第二P+扩散区，分别位于所述第一N阱内和所述第二N阱内；第一N+扩散区和第二N+扩散区，分别位于所述P阱与所述第一N阱的交界区域和所述P阱与所述第二N阱的交界区域，其中，所述第一P+扩散区和所述第一N+扩散区为所述半导体器件的阳极，所述第二P+扩散区和所述第二N+扩散区为所述半导体器件的阴极，或者，所述第一P+扩散区和所述第一N+扩散区为所述半导体器件的阴极，所述第二P+扩散区和所述第二N+扩散区为所述半导体器件的阳极。
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