[发明专利]降低电压差的EEPROM的操作方法

摘要

本发明公开了一种降低电压差的EEPROM的操作方法，其在一半导体基板上设置有至少一晶体管结构，且晶体管结构具有第一导电闸极，本发明利用离子植入方式于第一导电闸极与源极和汲极交界处的半导体基板内或源极和汲极的离子掺杂区内进一步植入同型离子，以增加该区域内的离子浓度，以降低写入及擦除的电压差，并对应提出降低电压差的操作方法。本发明除了可以应用于单闸极晶体管结构之外，还可以应用于具有浮接闸极结构的EEPROM。

主权项

1.一种降低电压差的EEPROM的操作方法，该EEPROM包含有一半导体基板，其上设有至少一N型晶体管结构，该N型晶体管结构具有一第一导电闸极以及至少两个第一离子掺杂区，该至少两个第一离子掺杂区位于该半导体基板内且位于该第一导电闸极的两侧，以分别作为源极和汲极，且该第一导电闸极与该第一离子掺杂区的交界处内进一步植入同型离子，以增加离子浓度，其特征在于，该操作方法包括以下步骤：于该第一导电闸极、源极、汲极及该半导体基板分别施加一闸极电压Vg、源极电压Vs、汲极电压Vd及基板电压Vsub，并满足下列条件：于写入时，满足Vsub＝接地，Vs＝Vd＝0或大于0V，且Vg＝高压2V，或满足Vsub＝接地，Vs＝Vd＝高压2V，且Vg大于2V；以及于擦除时，满足Vsub＝接地，Vs＝Vd＝高压2V，且Vg＝0或浮接或小于2V。