[发明专利]一种具有双回滞特性的用于静电防护的可控硅在审
| 申请号： | 201510177637.2 | 申请日： | 2015-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN104810393A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;郭维;钟雷;曾杰;王炜槐;俞志辉 | 申请（专利权）人： | 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双回滞特性的用于静电防护的可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极，所述N阱包括第一N阱、第二N阱，所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区，所述P型衬底上沿横向依次设置有第一N阱、P阱、第二N阱；所述P+注入区设置在第一N阱上，所述第一N+注入区跨设在第一N阱和P阱上，所述第二N+注入区跨设在P阱和第二N阱上；所述多晶硅栅设置在P阱上；所述P+注入区、第一N+注入区均接入阳极，所述多晶硅栅和第二N+注入区均接入阴极。本发明实现双重回滞，从而具有触发电压低、维持电压高的特性，能够有效起到静电防护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双回滞 特性 用于 静电 防护 可控硅 | ||
【主权项】：
1.一种具有双回滞特性的用于静电防护的可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱，其特征在于：还包括P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极，所述N阱包括第一N阱、第二N阱，所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区，所述P型衬底上沿横向依次设置有第一N阱、P阱、第二N阱；所述P+注入区设置在第一N阱上，所述第一N+注入区跨设在第一N阱和P阱上，所述第二N+注入区跨设在P阱和第二N阱上；所述多晶硅栅设置在P阱上；所述P+注入区、第一N+注入区均接入阳极，所述多晶硅栅和第二N+注入区均接入阴极；所述P+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离，所述P+注入区和第一N+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离，所述第二N+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离。
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