[发明专利]一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片有效
| 申请号： | 201510177748.3 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104911691B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈红荣;胡动力;徐云飞;雷琦;何亮 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤在坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶的生长面晶向同为[001]或同为所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向属于同一晶向族且构成重合位置点阵类型的晶界当籽晶的侧面晶向为<110>时，将相邻籽晶生长面晶向按[001]、正反面交替拼接或将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°；当籽晶的侧面晶向为非<110>晶向族时，将相邻籽晶生长面晶向按正反面交替拼接，或按正反面交替拼接后再将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°。本发明通过铺设籽晶减少了引晶过程中位错源的发生；本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 铺设 方法 单晶硅 制备 | ||
【主权项】：
一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，其特征在于，包括以下步骤：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶的生长面晶向同为[001]或同为所述籽晶的侧面晶向完全相同，所述籽晶来源于同根单晶棒，按如下方式使籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，并使相邻两个籽晶接触的侧面晶向属于同一晶向族，且构成重合位置点阵类型的晶界：当籽晶的侧面晶向为<110>时，将相邻籽晶中的一个籽晶绕所述籽晶接触侧面的法向方向翻转180°，或绕在水平方向上垂直于所述法向的方向翻转180°，或者将相邻籽晶中的一个籽晶绕垂直于生长面的轴顺时针或逆时针旋转90°；当籽晶的侧面晶向为非<110>晶向族时，将相邻籽晶中的一个籽晶绕在水平方向上垂直于所述籽晶接触侧面的法向的方向翻转180°，或者将相邻籽晶中的一个籽晶绕与所述籽晶接触侧面的法向方向翻转180°之后再绕垂直于生长面的轴来顺时针或逆时针旋转90°，或者将相邻籽晶中的一个籽晶绕在水平方向上垂直于所述籽晶接触侧面的法向的方向翻转180°之后再绕垂直于生长面的轴来顺时针或逆时针旋转90°。
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