[发明专利]一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法

摘要

本发明公开一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法，该方法包括如下步骤1)将衬底放置于水平管式炉加热区下游区域；2)称量SnS2粉末，并置于耐高温容器中，然后将其放置在管式炉加热区；3)称量硫粉，并置于另一耐高温容器中，然后将其放置在加热区上游区域；4)降低所述水平管式炉内压力；5)向所述水平管式炉内充入惰性气体，使所述水平管式炉内压回复到常压，同时保持一定流速的惰性气体；6)将所述水平管式炉温度升至650-750℃；7)将所述水平管式炉加热区自然降温到室温。本方法制备工艺简单，重复性高，可控性强、结晶性好、容易转移到其它衬底，便于大规模光电器件的研发和应用。

主权项

一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将衬底放置于水平管式炉加热区下游区域；2)称量SnS2粉末，并置于耐高温容器中，然后将其放置在所述水平管式炉加热区；3)称量硫粉，并置于另一耐高温容器中，然后将其放置在所述水平管式炉加热区上游区域；4)降低所述水平管式炉内压力；5)向所述水平管式炉内充入惰性气体，使炉内压回复到常压，同时保持一定流速的惰性气体；6)将所述水平管式炉温度升至650?750℃；7)将所述水平管式炉加热区自然降温到室温。