[发明专利]一种具有N缺陷的C3N4材料的制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种制备具有N缺陷的C3N4的方法，研究了N缺陷对C3N4光催化活性的影响。利用尿素和KOH为前驱体，通过550℃煅烧4h可获得N缺陷的C3N4。通过改变尿素和KOH的比例，可调节产物的N缺陷程度和光催化产氢活性。制备的具有N缺陷的C3N4具有光吸收和光催化活性增强的特点，拓宽了C3N4光吸收范围，提高了其光催化性能，同时简化了其制备方法，为制备高活性的C3N4材料提供了新的途径。此外，该方法通过调节KOH的用量可连续调节产物的能带结构，同时该方法还具有很好的适用性，利用尿素以外的其他物质为原料，比如硫脲或三聚氰胺，或者是利用其它的氢氧化物，通过该方法也都能得到相似的结果。

主权项

一种具有N缺陷的C3N4材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)将含氮化合物水溶液和氢氧化物水溶液混溶，干燥混合溶液得到固体；2)将所得固体进行煅烧得到产物为具有N缺陷的C3N4；所述含氮化合物为尿素，所述氢氧化物为KOH；所述尿素与所述KOH的质量比为15g:0.01g。