[发明专利]具有窄轨道宽度和小读间隙的磁传感器有效

专利信息
申请号: 201510178423.7 申请日: 2015-01-30
公开(公告)号: CN104821171B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: Z·高;H·S·吉尔;Y·洪;Q·勒 申请(专利权)人: 西部数据技术公司
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127;G11B5/11;G11B5/23
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了磁传感器及其制造方法以及磁数据记录系统。一种磁传感器,具有第一传感器叠层部分,该第一传感器叠层部分包括自由层、非磁间隔或阻挡层、以及被钉扎层结构的一部分。该传感器具有形成在第一传感器叠层部分上面的第二传感器叠层部分。第二传感器叠层部分包括被钉扎层结构的第二部分和形成在上面的反铁磁材料层。第一传感器叠层部分形成有定义传感器的起作用的宽度和条高度的宽度和条高度,而上部可以被制造得更宽和更深而不影响传感器性能。由于与图案化整个传感器叠层所需的结构相比,第一传感器叠层部分的图案化在更薄的结构上进行,所以能够以更小的尺寸和更高的分辨率来进行图案化。
搜索关键词: 具有 轨道 宽度 间隙 传感器
【主权项】:
1.一种磁传感器,包括:传感器叠层,其具有第一部分和形成在所述第一部分上面的第二部分,所述第一部分具有定义传感器轨道宽度的宽度,并且所述第二部分具有延伸超出所述传感器轨道宽度的宽度;其中所述传感器叠层的所述第一部分包括:磁自由层;非磁层;以及第一磁被钉扎层的第一部分,所述非磁层夹于所述磁自由层和所述第一磁被钉扎层的所述第一部分之间;以及所述传感器叠层的所述第二部分包括:所述第一磁被钉扎层的第二部分;第二磁被钉扎层;夹于所述第一磁被钉扎层和所述第二磁被钉扎层之间的非磁反平行耦合层;以及与所述第二磁被钉扎层交换耦合的反铁磁材料层。
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