[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法以及电源有效
| 申请号： | 201510178598.8 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN104779140B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 冈本直哉 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电源。一种化合物半导体器件，包括衬底；形成在衬底上的第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层上的第二化合物半导体层；以及形成在第一化合物半导体层上的上电极，其中在第一化合物半导体层的位于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以使得具有随着距上电极的距离增加而降低的空穴浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 以及 电源 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的第一化合物半导体层；在所述第一化合物半导体层的中央部分上形成的上电极，在所述第一化合物半导体层上并且围绕所述上电极形成的第二化合物半导体层；以及形成在所述衬底的背面上的下电极；其中在所述第一化合物半导体层的位于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以具有随着距所述上电极的距离的增加而降低的空穴浓度，其中所述第二化合物半导体层由含有铝的化合物半导体构成，并且所述第二化合物半导体层的铝含量随着距所述上电极的距离的增加而逐渐减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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