[发明专利]互连结构的形成方法

摘要

一种互连结构的形成方法，包括：提供基底，基底内形成有前层待连接件；在基底上形成图形化的第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行硬化处理；在第一光刻胶层上形成填充层；在填充层上形成图形化的第二光刻胶层；以第二光刻胶层为掩模，形成露出第一光刻胶层的第三开口；将第三开口的图形转移到基底内，在基底内形成露出前层待连接件的第四开口；向第四开口中填充导电材料，以形成互连结构。本发明通过固定用以定义接触孔位置的第一光刻胶的图形，使尺寸较小的接触孔位置的定义能够先于尺寸较大的后层待连接件位置的定义，避免了两次光刻的层叠偏差的叠加，能够有效扩大接触孔刻蚀工艺窗口，提高器件制造过程中的良品率，降低器件制造成本。

主权项

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底内形成有前层待连接件；在所述基底上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层在前层待连接件上方形成有第一开口，所述第一开口用于定义插塞的位置；对所述第一光刻胶层进行硬化处理；在硬化后的所述第一光刻胶层上形成填充层，所述填充层填满所述第一开口并覆盖所述第一光刻胶层；在所述填充层上形成图形化的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层在前层待连接件上方形成有第二开口，所述第二开口大于所述第一开口，所述第二开口用于定义后层待连接件的位置；以所述第二光刻胶层为掩模，去除第二开口底部的填充层，形成露出第一光刻胶层的第三开口，所述第三开口包括用于定义后层待连接件位置的沟槽和位于沟槽底部用于定义插塞位置的接触孔；将所述第三开口的图形转移到所述基底内，在所述基底内形成露出前层待连接件的第四开口；向所述第四开口中填充导电材料，以形成互连结构；对所述第一光刻胶层进行硬化处理的步骤之后，形成填充层的步骤之前，所述形成方法还包括：形成保形覆盖硬化后的所述第一光刻胶层和第一开口底部基底的保形层；所述保形层的材料为氧化硅。